存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。HBM生产过程中需要TSV封装，HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
住宅小区及工厂使用的电压220V/380V,低压变电所为我们用户提供的供电方式有两种方式：个是TN-C供电方式（用的线制是三相四线制），第二种是TN-S供电方式（用的线制是三相五线制）那么我们分别对这两种进行讲解。TN-C供电方式TN-C方式供电系统它是用工作零线兼作接零保护线，可以称作保护中性线，可用PEN表示TN-C供电方式属于三相四线制，这种供电方式中，中性线直接于大地连接。接地线和中性线合二为一。
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