ESD测试的方法和类型

ESD测试在芯片和系统设计中是一项很重要的指标，通常暴露在外面的接口更要注意静电防护。静电放电以及紧跟其后的电磁场变化，可能危害电子设备的正常工作。为了保证集成电路产品的良率，提高可靠性，需要对集成电路ESD防护能力进行测试。

ESD测试的方法

1.人体模拟静电放电（HBM）测试。测试人员模拟人体放电过程，将电荷通过人体以特定的方式传递给要测试的设备。

2.机器模拟静电放电（MM）测试。使用特定的电流脉冲模拟机器放电，以评估电子设备的ESD耐受性。

3.元件充电模式（CDM，Charge DeviceModel）是指因摩擦或者其它因素在IC器件内部积累了静电电荷，由于不存在电荷泄放通路，在积累的过程中没有对IC器件产生损伤.

人体放电模式（HBM)

在HBM测试中，测试人员使用静电发生器或其他设备，通过模拟人体的电容和电阻等参数，将电荷传递到要测试的设备上。这种放电过程通常会在几百纳秒（ns）的时间内产生数安培（A）的瞬间放电电流，以评估设备对静电放电的耐受能力。

HBMESD静电敏感度等级

机器放电模式（MM)

在MM测试中，模拟机器本身的静电累积，当机器接触到待测设备时，静电通过设备的引脚放电。由于大多数机器由金属制成，其等效电阻为0Ω，等效电容为200pF。放电过程非常短暂，通常在几毫微秒到几十毫微秒之间，会产生数安培的瞬间放电电流。

MMESD静电敏感度等级

元件充电模式（CDM)

电子元器件在生产运输过程中因为磨擦或其他原在元件内部积累了静电，但在静电积累的过程中元件没有快速释放电荷的过程，本身并未受到损伤。这种带有静电的元件的管脚接近或者触碰到导体或人体时，元件内部的静电便会瞬间放电，此种模式的放电时间可能只在几ns内。