江波龙获得一项发明专利授权，专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”，专利申请号为CN202010167846.X，授权日为2024年5月14日。专利摘要：本申请提供一种DRAM的电压控制电路，包括：单片机，与内存条上的SPD芯片连接；调压电路，与所述单片机连接，并与所述内存条上的至少一个DRAM连接，用于响应所述单片机的指令，对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制，无需在DRAM内单独设计调压电路，实现简单，成本低且周期短，并且通过相互连接的单片机和调压电路，大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个，较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了5.94亿元，同比增66.74%。
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铠侠发布的截止3月31日的FY23Q4财报显示，随着供需平衡的改善、ASP持续增长和存货估值损失的减少，铠侠FQ4营收3221亿日元（约合20.6亿美元），环比增长60.1%；营业利润439亿日元（约合2.8亿美元），环比扭亏为盈；净利润103亿日元（约合6598万美元），环比扭亏为盈。
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M378A1G44CB0-CWE
M378A2G43CB3-CWE
M378A4G43CB2-CWE
M378A5244GB0-CWE
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M378A2G43BB3-CWE
M378A4G43BB2-CWE
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M378A5244CB0-CWE
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M378A2K43DB1-CVF
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M378A1K43DB2-CTD
M378A4G43MB1-CTD
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M378A1K43CB2-CPB
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M378A1K43CB2-CTD
M378A2K43BB1-CPB
M378A2K43BB1-CRC
M378A2K43BB1-CTD
M378A2K43CB1-CPB
M378A2K43CB1-CRC
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M378A5244BB0-CPB
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M378A5244BB0-CTD
M378A5244CB0-CPB
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铠侠累计2023财年全年营收10766亿日元（约合69.2亿美元），同比下降16%，净亏损2437亿日元（约合15.9亿美元），同比亏损扩大。铠侠2023财年营收下降和盈利能力恶化，主要是由于上半年产品平均售价下降。但在财年结束时，随着铠侠和整个行业调整生产以更好地满足市场需求，供需平衡得到改善。
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CMOS的推挽输出：输出高电平时N管截止，P管导通;输出低电平时N管导通，P管截止。输出电阻小，驱动能力强。CMOS门的漏极开路式：去掉P管，输出端可以直接接在一起实现线与功能。如果用CMOS管直接接在一起，那么当一个输出高电平，一个输出低电平时，P管和N管导通，电流很大，可能烧毁管子。单一的管子导通，只是沟道的导通，电流小，如果两个管子都导通，则形成电流回路，电流大。输入输出高阻：在P1和N1管的漏极再加一个P2管和N2管，，当要配置成高阻时，使得P2和N2管都不导通，从而实现高阻状态。
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