砷化镓(GaAs)是一种由镓(Ga)和砷(As)两种元素组成的化合物半导体,属于IIIA族和VA族元素的重要化合物。由于其独特的物理性质和电子特性,砷化镓在电子行业中扮演着至关重要的角色,广泛应用于微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等领域。
检测样品
在砷化镓的生产和应用过程中,以下样品需要进行严格检测:
- 砷化镓外延片:用于集成电路和其他电子器件的基底材料。
-单晶:作为半导体器件的基础材料,其质量直接影响到器件的性能。
- 晶片:经过切割和抛光的单晶片,用于制造各种半导体器件。
- 载流子:指在半导体中负责传导电流的电子或空穴。
检测项目
为确保砷化镓产品的质量和性能,以下检测项目是必不可少的:
1. 外形尺寸检测:确保样品的尺寸符合设计要求。
2. 表面质量检测:检查表面是否有划痕、污染或其他缺陷。
3. 偏离度检测:评估样品的几何偏离度,确保加工精度。
4. 切口测试:检查晶片切割的质量和完整性。
5.电学性能检测:包括载流子浓度、电阻率、迁移率等参数的测试。
6. 电阻率检测:评估材料的导电能力。
7. 截面电阻率不均匀性:检测材料内部电阻率的均匀性。
8. 迁移率测试:衡量载流子在材料中的移动能力。
9. 位错密度检测:评估单晶内部的结构完整性。
10. 电学性能测试:包括导电类型、霍尔迁移率等。
检测标准
为了确保检测的准确性和标准化,以下是国家标准(GB)和行业标准(SJ)中规定的砷化镓相关检测方法:
- GB/T8757-2006:规定了砷化镓中载流子浓度的等离子共振测量方法。
- GB/T8758-2006:提供了砷化镓外延层厚度的红外干涉测量方法。
- GB/T8760-2020:明确了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
- GB/T11068-2006:规定了砷化镓外延层载流子浓度的电容-电压测量方法。
- GB/T 11093-2007、GB/T11094-2020:分别涉及液封直拉法和水平法生产的砷化镓单晶及切割片的标准。
- GB/T 20228-2021、GB/T25075-2010:分别针对砷化镓单晶和太阳能电池用砷化镓单晶的标准。
- SJ 3242-1989、SJ 20714-1998、SJ/T11497-2015:分别提供了砷化镓外延片、抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法和晶片热稳定性的试验方法。
通过遵循这些标准和执行相应的检测项目,可以确保砷化镓产品的质量,满足高性能电子器件的要求,从而推动相关行业的发展。