深圳市三佛科技有限公司 供应 100V SOT-89 香薰机MOS HN03N10D，原装，库存现货*
HN03N10D参数：100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管
品牌：HN
型号：HN03N10D
VDS：100V
IDS：3A
封装：SOT-89
沟道：N沟道
HN03N10D原装*,HN03N10D现货*供应
HN03N10D为中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN03N10D实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。
HN03N10D产品应用于：LED灯去频闪，香薰机，加湿器 ，LED电源，充电器，小家电，电源。
售后服务：公司免费提供HHN03N10D样品，并提供产品运用的技术支持。
HN03N10D 可以替代 PA110BC，PA910BC，UT3N10，NCE0103M，HM3N10PR
【100V MOS 】
HN0501: 100V 5A SOT-23 N沟道MOS管
HN0801: 100V 8A SOT-89 N沟道MOS管
HN0301: 100V 3A SOT-23S N沟道MOS管
HN03N10D：100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管
HN15N10DA：100V 15A TO-252 N沟道 MOS管
10N10 ：100V 10A TO-252 N沟道 MOS场效应管
HN40N10KA： 100V 40A TO-252 N沟道 MOS管 低开启电压
场效应管的 N沟道
N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID
直流参数：
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏
源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS
