深圳市三佛科技有限公司 供应 100V SOT-89 香薰机MOS HN03N10D,原装,库存现货*
HN03N10D参数:100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管
品牌:HN
型号:HN03N10D
VDS:100V
IDS:3A
封装:SOT-89
沟道:N沟道
HN03N10D原装*,HN03N10D现货*供应
HN03N10D为中压MOS:100V,N沟道,大电流,小封装MOS,HN03N10D实际电压可以达到100V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求。
HN03N10D产品应用于:LED灯去频闪,香薰机,加湿器 ,LED电源,充电器,小家电,电源。
售后服务:公司免费提供HHN03N10D样品,并提供产品运用的技术支持。
HN03N10D 可以替代 PA110BC,PA910BC,UT3N10,NCE0103M,HM3N10PR
【100V MOS 】
HN0501: 100V 5A SOT-23 N沟道MOS管
HN0801: 100V 8A SOT-89 N沟道MOS管
HN0301: 100V 3A SOT-23S N沟道MOS管
HN03N10D:100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管
HN15N10DA:100V 15A TO-252 N沟道 MOS管
10N10 :100V 10A TO-252 N沟道 MOS场效应管
HN40N10KA: 100V 40A TO-252 N沟道 MOS管 低开启电压
场效应管的 N沟道
N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID
直流参数:
饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏
源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS