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CIGS系列太阳能电池板是近日达到实用化的新型太阳能电池片。它不使用硅材料，面是用被称为黄铜矿系的材料村成。具代表性的是由铜(Cw、烟(n)、嫁(Ga)和菇(Se)组成的化合物(简称CIGS)制成的太阳能电池片。一般的晶体硅太阳能电池相比，其主要特征是光吸收系数很高，只用2～3jumm的厚度就能吸收几乎所有到达其表面的太阳光。硒(So)和硫(S)是具有毒性的物质，这些元素在我们的身边和生活中广泛存在，考虑遇到火灾，它们也不会给环境安全带来影响，面且，电池本身的厚度只有几微米，可以有效地节省资源，降低制造时所需的能源消耗。在实验室已经得到与晶体硅太阳电池相对比的19.8%高转换效率，面且还有很大的提高空向。  

硅薄膜太阳电池，包括非晶硅、微晶硅、多晶硅薄膜太阳能电池。  

非晶硅(amorphoussilicon.a-Si)薄膜太阳能电池板  

在晶体硅太阳能电池中，真正起发电作用的仅是硅片表面附近的很少部分，离表面较远部分并不直接起发电作用，为了尽量节约硅材料，有效降低生产成本，晶体硅太阳电池正向薄片化方向发展。目前硅片厚度已降至200um以下;另一方面，就是向薄膜化方向发展，非晶硅薄膜太阳电池是早期实现进入市场的商业化薄膜太阳能电池板。  

非晶体硅薄膜太阳能电池板，是在非硅的衬底上制作很薄的硅薄膜来发电。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicealVaporDeposition,PECVD)，向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用辉光放电位其分解，借助化学反应在衬底上堆积硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持与晶体硅相同的基本结构。晶体硅是每一个硅原子通过共价键与其他4个硅原子键合成四面体，掺氢非晶硅仅以共价键与其他3个相邻的硅原子相键合，面硅的第4个价原子与氢原子键合。在掺氧非晶硅中，化合氢的含量用原子百分数表示占10%左右。这些复原子会直接对悬挂键(danglingbond)缺陷结合，减少对电子的捕获，以达到非晶硅的低缺陷密度，使其能够作为太阳电池应用。

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