硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料。这种材料具有高电子迁移率和低噪声特性，广泛应用于制造半导体分立器件和集成电路。硅外延片的制备工艺包括外延生长技术，通过在高温下将硅源气体分解并沉积在硅衬底上，形成高质量的外延层。
硅外延片的应用范围非常广泛，包括制备MOSFET、双极型晶体管、IGBT器件、肖特基二极管、电荷藕合器件、CMOS图像传感器等多种产品。在信息通信、能源、光电子等领域，硅外延片发挥着重要作用。
我司检测可提供硅外延片检测服务，检测报告具备CMA资质。
检测项目
晶向、电阻率及径向电阻率变化、厚度及径向厚度变化、晶体完整性、表面金属、质量等
检测标准
GB∕T 14139-2019 硅外延片
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 6617 硅片电阳率测定扩展电阳探针法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 12964 硅单晶抛光片
GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14141 硅外延层、扩展层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法
GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定，汞探针电容-电压法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
YS/T 28 硅片包装