采用FR-4材质，灯驱合电路采用6层以上设计;PCB设计、板材的选用、加工过程的管控，能有效耐受CAF 离子迁移。

像素点间距要求:不大于1.25mm，全倒装共阴COB；

采用COB封装(集成三合一)技术，全倒装共阴封装，RGB晶片均为倒装，所有晶片直接贴装在PCB基板上，无焊线无引线，无回流焊，无裸露焊接点，表面无覆膜。

采用封 闭式压铸铝/铝镁材质箱体，机械强度≥30Mpa，抗拉强度≥230Mpa，屈服强度z170Mp a;显示单元满足纵向拉伸承载力z2T，横向拉伸承载力Z2T，四侧面平面度公差≤0.02mm，四侧面 垂直度公差≤0.02mm的要求。箱体抗拉强度>150Mpa，屈服强度>100Mpa硬度>50HBS;箱体拉力与压力:≥5000N/㎡。

模组、接收卡与主板采用硬接口设计，无排线，支持直接热插拔;箱体之间无线缆设计，接口支持电源与信号双备份，屏体外观简洁美观。

采用FR-4材质，厚度≥2mm，灯驱合电路采用6层以上设计;PCB设计、板材的选用、加工过程的管控，能有效耐受CAF 离子迁移。

采用EBL+技术(enhance level)及“Brilliant Black倍丽安”至臻纯黑技术模块表面处理，提高屏体的黑色水平，提升观看的舒适度、降低触摸痕迹;高分子材料超黑涂层，全哑光设计，拼装无模块化现象，无反光，无静电。

驱动方式:共阴恒流驱动(恒流源输出端驱动LED 的阳极，同一像素内R/G/B三种颜色的发光二极管共用一个负极的产品设计)。恒流芯片PWM脉宽，≤15ms。

MTBFz220000小时:平均无故障使用时间不低于220000h。

电源采用AC100-240V宽电源，功率因数(PFC)不小于0.96，转换效率不小于88%支持信号环路备份，数据备份，支持发送卡、接收卡双备份功能。

驱动芯片具备列下消隐功能、倍频刷新率提升2/4/8倍、低灰偏色改善功能。

支持1+1冗余电源，支持7x24小时不间断运行，平均故障时间(MTBF)不低于180000小时，平均修复时间(MTTR)小于8秒。

耐压试验:在测试电压1500V/AC，测试频率50Hz，持续1min时间环境下，测试部位传感器无击穿、无闪络现象且泄漏电流值应<5mA。

振动(正弦)试验:实际使用状态安装在振动试验台上，在通电的状态下进行测试。一个方向完成后，再在其他两个方向上进行试验。振动频率范围:10Hz-150Hz;位移幅值:0.075mm;加速度幅值:10m/s2;每轴扫频周期:20。试验过程中及试验结束后，设备能正常工作，且试后样品外观完好。测试结果符合要求。按照GB/T2423.10-2019中的要求进行振动试验。

射频电磁场辐射抗扰度:根据GB/T 17626.3中的要求进行，按照台式设备进行布置。用规定的试验信号，在预定的频率范围内进行扫描试验。EUT需要在发射天线的水平和垂直极化状态下进行试验。试验的场强如下:频率范围80MHz~1000MHz，试验等级10V/m;频率范围1400MHz~2000 MHz，试验等级30V/m;1kHz的正弦波80%的幅度调制信号;步长为当前频率的1%;驻留时间3 s。设备按预期的工作状态正常运行，符合性能判定为A。

电快速瞬变脉冲群抗扰度:根据GB/T 17626.4中的要求进行，EUT按照台式设备进行布置。试验电压施加到EUT的电源线。脉冲群的相关参数如下:重复频率为5kHz，上升时间为5ns和持续时间为50ns;脉冲群持续时间15ms;脉冲群周期300ms;试验等级:±1.0/2.0kV(电源端口);试验等级:±1.0kV(信号端口);试验时间1min。设备按预期的工作状态正常运行，符合性能判定为A。

浪涌(冲击)抗扰度:根据GB/T 17626.5中的要求进行。浪涌脉冲具体规定如下:开路电压前沿/脉宽1.2/50μs，短路电流前沿/脉宽8/20μs;正负极性各5次;间隔时间60s;共模试验等级:±4k V;差模试验等级:±2kV;注入角度:0°、90°、180°、270°。设备按预期的工作状态正常运行，符合性能判定为A。

工频磁场抗扰度:根据GB/T 17626.8的要求进行，EUT按照台式设备进行布置。试验应以线圈Zui短一边的50%为步长，沿EUT的侧面将线圈移动到不同的位置重复进行，旋转感应线圈使受试设备暴露在三个不同方向的试验磁场中。磁场强度:400A/m;测试频率:50Hz;测试时间:3s。设备按预期的工作状态正常运行，符合性能判定为A。