1500V/25mΩ碳化硅mosfet S2M025150HJ 60KW大功率电源单级拓扑应用

S2M025150HJ 是一款由清纯半导体‌ 公司生产的碳化硅 MOSFET‌器件，采用单级拓扑设计，旨在降低开关损耗。‌

关键规格与特性：‌ 该器件的额定电压为 ‌1500V‌，导通电阻（Rds(on)）为 ‌25mΩ‌，适用于高电压、高效率的功率转换场景，如工业电源、可再生能源系统或电动汽车充电设备。

1500V/25m92碳化硅MOS，在60KW大功率充电模块应用中。采用单级拓扑，效率可以做到97.5%。

仅485J和118uJ的超低开通/关断损耗，体二级管反向恢复电流只有22A，恢复软度大幅度提升，特别适合900V以上电压平台，单级拓扑等高压场合。

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