规格
FET 类型2 个 N 沟道(双)FET 功能标准漏源电压(Vdss)60V电流 -连续漏极(Id)(25°C 时)230mA不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)7.5 欧姆 @50mA,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)2V @ 250µA不同 Vgs时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)-不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)50pF @ 25V功率 -Zui大值310mW工作温度-55°C ~150°C(TJ)安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装SOT-363 |
2N7002DW-7-F原装进口现货,长期大量库存,美台MOSEFET。只做原装。