描述:
高速 650 V、8 A 硬开关 IGBT TRENCHSTOPTM 5 可与 TO-247封装中 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装,被定义为“同类”IGBT。
特征描述:
650V 击穿电压
对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
Qg 系数降低 2.5 倍
开关损耗系数降低 2 倍
V CE (sat) 减少了 200mV
采用英飞凌极速硅二极管技术
低 C OES/E OSS
温和正温度系数 V CE (sat)
Vf 的温度稳定
优势:
具有出色的效率,降低结温和外壳温度,从而提高设备可靠性
母线电压可提升 50V,同时不影响可靠性
更高的功率密度设计
目标应用:
电焊机 电池储能