回收射频IC　IC收购贴片三极管回收

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晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，

构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管，图2

当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。

图2中每个晶体管的集电极电流就是另一个晶体管的基极电流。两个互相复合的晶体管电路，

当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。　

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设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；

电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：

Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

若门极电流为Ig，则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig

从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式

硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。

当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2）很小，

故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，

从门极G流入电流Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高其电流放大系数a2，

产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1，

产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。

从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，

提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。

ADUM3223BRZ-RL7

AMC1100DUBR

AMC1200SDUBR

AR8035-AL1B-R

AS5601-ASOM

AT24C01B-PU

AT80C31X2-SLSUM

AT91SAM7X512B-CU

ATMEGA128A-AUR

ATMEGA324PA-MU

ATTINY2313A-SUR

ATTINY24A-MU

B110C

BAT54AWT1G

BC846PNH6327XTSA1

BC847CDW1T1G

BCM5221A4KPTG

BCM5248UA4KQMG

BCP53T1G

BCW60CE6327HTSA1

B-DS30-20-LF

BQ24032ARHLR

BQ24172RGYR

BSP52T1G

BSS126H6327

BYM26C

BZX84C12LT1G

C8051F022-GQR

CC2425W2V

CC2640R2FRHBR

CDCLVC1104PWR

CNY171SVM

CP603146

CRT0603-BY-2002ELF

CS5521-ASZ

CSD16340Q3

CT51264BF160BJ

DAC34SH84IZAYR

DRA74-151-R

DS1811R-10+T&R

DS2430AP+T&R

DS2431+

FC100V5AG

FCPF400N80Z

FCPF850N80Z

FDC640P

FDG6322C

FDMS3620S

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FFPF20UP30DNTU

FIN1001M5X

FIN1108MTDX

FPF2505

GN2412BIBE3

HCNW137-000E

HCNW137-500E

HCPL-0314-500E

HFC0100HS-LF-Z

IKW40T120FKSA1

INA137UA

IP4252CZ16-8-TTL

IPA80R1K4P7

IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R900P7XKSA1

IPAN80R280P7XKSA1

IPAN80R360P7XKSA1

IR3475MTRPBF

IR3837MTRPBF

IRF1010EPBF

IRF7455TRPBF

IRFR540ZTRPBF

IRGB20B60PD1PBF

IRLML6402TRPBF

IRS2302SPBF

ISL12020MIRZ-T

ISL32179EIRZ

J1012F01CNL

KAE01LAGT

KBU8K

L4X3RP

L6562DTR

L6563H

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