黑龙江贴片IC芯片回收 湿敏传感器 处理器芯片回收
以上三个性能指标是互相制约的。当你有较快的存取时间，你就必须牺牲CASlatency的性能。评估和比较SDRAM的性能时，我们必须综合考虑以上三个指标不能仅从芯片上所刻的-6，-7，-8或-10来评价。
时钟周期编辑
也就是一旦芯片厂商称其产品为PC-100。其芯片符合PC-100的标准。那么-6，-7，-10就只是一个符号。并不说明-6比-7快。三星（SAMSUNG）为了防止人们的误解，不再用这个数据代表存取时间，而用字母表示存取时间。
举例编辑
下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。
对于100MHz的系统来说，一个系统时钟周期为10ns。
粗略的计算一下：读取数据的总延迟时间=CAS Latency 延迟 + 存取时间。
例如：Hyundai PC-100 SDRAM，存取时间为8ns，CL2模式。总的延迟时间为 =2 x 周期 + 存取时间=2 x 10 ns + 8 ns = 28 ns
如果SDRAM运行在CL3模式下，存取时间为6ns。这样，总的时间延迟为 =3 x 10 ns + 6 ns = 36ns
显然，当SDRAM运行在CL2模式下，其速度完全快于CL3模式。
MBRS340T3G
CL31A107MQHNNNE
LM1117RS-2.5
SMMSD301T1G
UTC78M06
RK73H1ETTP1241F，KOA
IN8208A-K2
贴片瞬态抑制二极管_UET14A05L03
LM2596R-3.3
DB3
CM510-NO02
BAT54WT-7
CR-03FL7--499K
WR08X1432FTL
GRM188R70J105KA01D
LTST-G563EGBW-HM2
GRM219R61E106KA12D
NCP1252ADR2G
MMSZ5245B
S5L63
SBAV70LT3G
GRM0335C1H101J
CD4053BE
RTL8821.RTL8822.RT3070RT3572.RT5370L.RT5372L.RTL5572.PCF7952.
RM06FTN51R1
293D686X0025E2TE3
BD9G341AEFJ-E2
MX60LF8G18AC-TI
1X2(公)
WW12XR500FTL
RC0402FR-07280RL
CC0805ZRY5V8BB474
ANG2004H
RTT033650FTP
RFBLN1608070A4T
APL354030QBI-TRG
PIC16F73-1/SP4AP
NCP1230D65R2G
SI4416DY-T1-E3，SILICONIX
TOP250YN
QM45858TR13-5K
GJM1555C1H1R2WB01D
C1005NP0100JFT
WR06X6201FTL
TJG-533I-Q-T/R
DS4404N+T&R
LM2576HVR-12
DS1620
NESW157T-A2
SMCJ48A-7P
DS1225Y-100