规格
FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60V电流 -连续漏极(Id)(25°C 时)110A(Tc)驱动电压(Zui大 Rds On,Zui小 RdsOn)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)6.9 毫欧 @ 30A,10V不同 Id时的 Vgs(th)(Zui大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)345nC @10VVgs(Zui大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)11400pF @ 25VFET功能-功率耗散(Zui大值)3.75W(Ta),375W(Tc)工作温度-55°C ~175°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装TO-263(D2Pak)封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 +接片),TO-263AB |