山东存储芯片回收 收购继电器 长期收购
MLZ2012M100WT000
CMFB104J4200HANT
LTC2850IS8#TRPBF
LFXTAL022248
0805W8J010JT5E
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MMBTA44
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TUSB1105RGTR
W25Q128BVEIG
MT9P001，
驱动芯片 BTS5210G.SOIC-14P
WC理论含碳量为6.128%(原子50%)，当WC含碳量大于理论含碳量，则WC中出现游离碳(WC+C)。游离碳的存在，烧结时使其周围的WC晶粒长大，致使硬质合金晶粒不均匀。碳化钨一般要求化合碳高(≥6.07%)，游离碳(≤0.05%)，总碳则决定于硬质合金的生产工艺和使用范围。
正常情况下，石蜡工艺真空烧结用WC总碳主要决定于烧结前压块内的化合氧含量。含一份氧要增加0.75份碳，即WC总碳=6.13%+含氧量%×0.75(假设烧结炉内为中性气氛，实际上多数真空炉为渗碳气氛，所用WC总碳小于计算值)。
目前我国WC的总碳含量大致分为三种：石蜡工艺真空烧结用WC的总碳约为6.18±0.03%(游离碳将增大)。石蜡工艺氢气烧结用WC的总碳含量为6.13±0.03%。橡胶工艺氢气烧结用WC总碳=5.90±0.03%。上述工艺有时交叉进行，因此确定WC总碳要根据具体情况。
HZ30-1TA
CXDG-D16000000-D200HD75
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RC1206JR-07330RL
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A2T21S260W12N
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DHABS/124
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TPS54229EDDAR
变压器 PP
MOSFET MD680HFN100B3S
LTC3441EDE#PBF
驱动芯片 IXDN430CI
XC6SLX75-2CSG484I
1206X106M500NT
BL6523B
UG10U7211P8BU-BDU-ALP-UA
熔断器 ANL-E-60
IDT7201LA35TP
薄膜电容 C362S128K002607
CY37064P44-125AXIT,
MM3Z3V3