山东存储芯片回收 收购继电器 长期收购

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MLZ2012M100WT000

CMFB104J4200HANT

LTC2850IS8#TRPBF

LFXTAL022248

0805W8J010JT5E

MCIMX258CJM4A

TPS74201RGWT

S-8232NYFT-T2-G

SLG8LP625TTR

MMBTA44

MPC8572VTAULD

IMX226CQJ-C，

TUSB1105RGTR

W25Q128BVEIG

MT9P001，

驱动芯片 BTS5210G.SOIC-14P

WC理论含碳量为6.128%(原子50%)，当WC含碳量大于理论含碳量，则WC中出现游离碳(WC+C)。游离碳的存在，烧结时使其周围的WC晶粒长大，致使硬质合金晶粒不均匀。碳化钨一般要求化合碳高(≥6.07%)，游离碳(≤0.05%)，总碳则决定于硬质合金的生产工艺和使用范围。

　　正常情况下，石蜡工艺真空烧结用WC总碳主要决定于烧结前压块内的化合氧含量。含一份氧要增加0.75份碳，即WC总碳=6.13%+含氧量%×0.75(假设烧结炉内为中性气氛，实际上多数真空炉为渗碳气氛，所用WC总碳小于计算值)。

　　目前我国WC的总碳含量大致分为三种：石蜡工艺真空烧结用WC的总碳约为6.18±0.03%(游离碳将增大)。石蜡工艺氢气烧结用WC的总碳含量为6.13±0.03%。橡胶工艺氢气烧结用WC总碳=5.90±0.03%。上述工艺有时交叉进行，确定WC总碳要根据具体情况。

HZ30-1TA            

CXDG-D16000000-D200HD75

LT1498IN8#PBF LT1575CN8-3.5#PBF LT1638IN8#PBF

ECA1JHG331

SKY13370-374LF

AO6602L

FL-2-75MV/600A(0.2级）

RC1206JR-07330RL

ISA-4000-40-1-2

MCP2515T-E/ST

CY8C4245AXI-483

THS5651AIPW

MTFC4GLDDQ-4M

BUF12800AIPWPG4,

CL21B104KCFSFNE

SDCL0603Q5N6ST02

XC4VFX12-11FFG668I

SKY66291-11

MSDF000F

HZ22-2              

AD5422AREZ 

HMT31GR7BFR4A-H9 D7 AE

A2T21S260W12N

RS-03K273JT

QTLP600C7TR

IRLML6401TRPBF

LM5022QDGSRQ1

TPS51285ARUKR

CW7808ES

ULN2003L-S16-T

C0201C0G330J500NT

MG15J6ES1,

RC0402FR-07226RL

DHABS/124

TPS767D318PWPR

SN74HCT00DR

MAX3485EESA

MPC8547EVTAUJB

TPS54229EDDAR

变压器 PP

MOSFET MD680HFN100B3S

LTC3441EDE#PBF

驱动芯片 IXDN430CI

XC6SLX75-2CSG484I

1206X106M500NT

BL6523B

UG10U7211P8BU-BDU-ALP-UA

熔断器 ANL-E-60

IDT7201LA35TP

薄膜电容 C362S128K002607

CY37064P44-125AXIT,

MM3Z3V3