江北公司硬盘IC回收 江北回收晶振光耦

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MT46H128M16LFDD48CPF38F3040M0Y3DE

TS3USB30EDGSR

293D686X0025E2TE3

高频三极管的结构多为扩散型管，它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构，它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同，用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同，通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下:

将万用表置Rx1k档，测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管，负表笔接发射极，正表笔接基极;对于PNP型三极管，则正表笔接发射极，负表笔接基极)。将万用表改至Rx10k测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度，则可判断被测三极管是高频管;若万用表指针偏转很小的角度，则可判断被测三极管是低频管。

需要说明的是，由于三极管PN结反向击穿电压大小不同，"再加上不同万用表内的电池电压也不相同，这种判断方法不是很准确的

AFT26H160-4S4R3 

B41605S8258M1 

MGA-425P8-BLK 

PD4859J5050S2HF 

5.0SMDJ75CA 

430450802

DS1747WP-120IND+ 

ENFPA9J5F27 

TSI577-10GILV 

856654?? 

MGA-13316-TR1G?

PX04SVB096

AL14SEB18EQ

AL14SEB090N

74LVT125DB,118

856880

TNY268GN  TNY268G  TNY268P  TNY268PG TNY268PN

RN731ETTP49R9D25

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A2T21S260W12N