江北公司硬盘IC回收 江北回收晶振光耦
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高频三极管的结构多为扩散型管，它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构，它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同，用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同，通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下:
将万用表置Rx1k档，测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管，负表笔接发射极，正表笔接基极;对于PNP型三极管，则正表笔接发射极，负表笔接基极)。然后，将万用表改至Rx10k再次测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度，则可判断被测三极管是高频管;若万用表指针偏转很小的角度，则可判断被测三极管是低频管。
需要说明的是，由于三极管PN结反向击穿电压大小不同，"再加上不同万用表内的电池电压也不相同，这种判断方法不是很准确的
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