RC0402JR-0710K(LF) M55342K12B12D0SWB OA172SAPL-11-1TB RC-02000JT 293D226X9010B2TE3 RF8007ITR7 MAX15012AASA+T
CNY17F-3 MDS22J104K DV164005 CC0402KRX7R7BB473FCB72-681KH GRM1552C1H270JZ01D SDV1005E140C101NPT IRF7465TRPBF
SMA6J28A-E3/61 COM20022I3V-HT RC0603JR-075K1L CC0402KRX7R9BB822 L6225DTR CN24JTN0 SN74CBTLV3257PWR
RC0603FR-074K7L BZX84-A20,215 LTC1662IMS8#TRPBF
安徽库存三极管回收报价回收三极管
高价回收国内外大厂 的电子呆滞电子料收购工厂库存、个人库存、倒闭电子厂等库存.可以选择国内及香港交货,以合理的价格、包括IC;回收稳压IC，电脑IC，内芯片，拆机芯片，管子，光纤模块钽电容，二三极管，语音芯片，通信设备回收，各类电信服务器，网络交换机，光纤路由器，及其周边配件，线路板回收，各种通信板卡，拆机单板，网络周边设备，
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管
全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor
别名 ： positive MOS
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
安徽库存三极管回收报价回收三极管