场效应晶体管是靠垂直电场改变一薄层半导体的电阻来获得放大信号的功能。半导体薄层的两端各接一个电极称为源和漏。控制垂直电场的电极称栅。场效应晶体管在工作过程中只有一个极性的多数载流子参加导电，称为单极型。场效应晶体管中施加垂直电场的方式可以有三种：①通过反向偏置的PN结，称为结型场效应晶体管；②通过反向偏置的肖特基结，称为MES场效应管；③通过绝缘栅，称为MOS晶体管。结性场效应晶体管一般用于较低频率范围。MES场效应管宜用砷化镓材料，而MOS晶体管在硅大规模集成电路中用得Zui为普遍。
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