ASEMI 物联网芯片PL3330 PL3330

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PL3393AS 内置了多种保护功能，包括：逐周期 限流保护，VDD 过压保护/欠压保护，输出开路/短路保护，输出钳位保护和过温保护等。

在轻载或空载条件下，功率管开关损耗成为开关 电源的主要损耗，为了降低该损耗，PL3393AS 在不同负载条件下采样 FB端电压并自适应地调 节工作模式。系统轻载时，FB 端电压下降，当该 电压小于内部阈值电压，PL3330，系统会进入绿色工作模式，PWM 频率会持续的降低。的工作频率 固定为 20KHZ。在空载条件，FB 电压会下降，系统会进入突发模式，从而降低了系统损

耗，在不同状态时，系统没有音频噪音。

该系列提供多种保护功能，主要包括 OVP、OCP、OLP 等。为了防止外部功率 MOS 管栅极因高压损毁，该系列的驱动输出被钳位在 15V。

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PL3332是一款用于反激式开关电源的同步整流芯片。其内部集成了40V耐压的功率开关，可替换反激式转换器中的整流二极管，PL3330电源管理IC，能够有效提升系统效率。

PL3332 主要特点：

? 内置13mΩ（@Vgs=10V，物联网芯片PL3330，Id=6A）40V功率开关管

? 兼容DCM或QR反激开关

? 自检测开通关断

? 简化外围器件

PL3332 主要应用：

? 反激开关电源

? 电源适配器

? 充电器

? 消费类的备用电源

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PL3331可兼容支持断续工作模式、连续工作模式或 准谐振工作模式的反激式转换器。 PL3331提供SOP8封装。

2 特性

内置19mΩ（@Vgs=10V，Id=1A）40V功率开关 管  兼容DCM或QR反激开关    自检测开通关断   简化外围器件

9.4 功率管开启

 副边导通时，电流流过功率 MOS 的体二极管， 当芯片检测到功率 MOS 漏极与源极压差小于 VON_TH时，芯片经过时间 TDON 开启功率 MOS。 VON_TH和 TDON的典型值分别为-200mV 和 80ns。

9.5 功率管关断

 当流经功率 MOS 的电流逐渐下降，直到 MOS 漏极 与源极的压差超过 VOFF_TH时，芯片经过时间 TDOFF开启功率 MOS。VOFF_TH 和 TDOFF 的典型值分别为 -12mV 和 50ns。

ASEMI(图)-物联网芯片PL3330-PL3330由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（www.asemi360.com）为客户提供“电源IC,整流桥,肖特基,快恢复全系列”等业务，公司拥有“强元芯”等品牌。专注于二极管等行业，在广东深圳有较高知名度。欢迎来电垂询，联系人：李强。本公司（www.asemi88.com.cn）还是从事贴片整流桥，贴片整流桥厂家，贴片整流桥定制的厂家，欢迎来电咨询。