在SRAM中，排成矩阵形式的存储单元阵列的周围是译码器和与外部信号的接口电路。存储单元阵列通常采用正方形或矩阵的形式，以减少整个芯片面积并有利于数据的存取。以一个存储容量为4K位的SRAM为例，共需12条地址线来保证每一个存储单元都能被选中（=4096）。如果存储单元阵列被排列成只包含一列的长条形，则需要一个12/4K位的译码器，但如果排列成包含64行和64列的正方形，这时则只需一个6/64位的行译码器和一个6/64位的列译码器，行、列译码器可分别排列在存储单元阵列的两边，64行和64列共有4096个交叉点，每一个点就对应一个存储位。
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