1.失效背景
产品上所使用的直插式LED灯珠在测试过程中出现死灯和暗灯现象，经初步排查，失效灯珠存在漏电现象，具体表现为反向漏电偏大。
2.主要分析过程简述
在相同测试条件下（正向3V）测试正常样品和失效样品的半导体特性曲线，样品漏电现象得到确认；对失效样品进行镶样研磨，逐步去除样品的PCB，并测试灯珠的半导体特性曲线，结果未发生明显变化，该项测试证明失效与PCB板表面和内部状况（电迁移、离子残留等）无关，仅发生在灯珠部分；对失效样品进行开封，去除封装胶后，对LED芯片进行EMMI测试，测试结果显示：漏电芯片负电极绑定点附近出现比较明显的漏电发热点，SEM照片显示NG样品出现绑定点过大情况，焊点已经覆盖了芯片正负极间的绝缘沟道，采用化学试剂去除NG样品的焊点，芯片PN结与负极间的部分钝化保护层已经脱离，负极边缘位置出现了一定程度的损伤。