1.失效背景
产品上所使用的直插式LED灯珠在测试过程中出现死灯和暗灯现象,经初步排查,失效灯珠存在漏电现象,具体表现为反向漏电偏大。
2.主要分析过程简述
在相同测试条件下(正向3V)测试正常样品和失效样品的半导体特性曲线,样品漏电现象得到确认;对失效样品进行镶样研磨,逐步去除样品的PCB,并测试灯珠的半导体特性曲线,结果未发生明显变化,该项测试证明失效与PCB板表面和内部状况(电迁移、离子残留等)无关,仅发生在灯珠部分;对失效样品进行开封,去除封装胶后,对LED芯片进行EMMI测试,测试结果显示:漏电芯片负电极绑定点附近出现比较明显的漏电发热点,SEM照片显示NG样品出现绑定点过大情况,焊点已经覆盖了芯片正负极间的绝缘沟道,采用化学试剂去除NG样品的焊点,芯片PN结与负极间的部分钝化保护层已经脱离,负极边缘位置出现了一定程度的损伤。