st一级代理商STP65NF06

编号：511-STP65NF06

制造商编号：STP65NF06

制造商：意法半导体

说明：MOSFET N沟道MOSFET

制造商: 意法半导体

产品种类: MOSFET

指令： 详细信息

技术: Si

安装风格: 通孔

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N通道

通道数量: 1 个频道

Vds-漏源极击穿电压: 60V

Id-连续漏极电流: 60安

Rds On-漏源导通电阻: 14 毫欧

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 伏，+ 20 伏

Vgs th-栅源极阈值电压: 2V

Qg-栅极电荷: 54 nC

Zui小工作温度: - 55摄氏度

Zui大工作温度: + 175 摄氏度

Pd-功率耗散: 110 瓦。

通道模式: 增强

商标名: 条形场效应管

封装: 管子

商标: 意法半导体

配置: 单身的

下降时间: 16 纳秒

正向跨导 - Zui小值: 50秒

高度: 9.15 毫米

长度: 10.4 毫米

产品类型: MOSFET

上升时间: 60 纳秒

系列: STP65NF06

1000

子类别: MOSFET

晶体管类型: 1 个 N 沟道功率 MOSFET

典型关闭延迟时间: 40 纳秒

典型接通延迟时间: 15 纳秒

宽度: 4.6 毫米

单位重量: 2克