深圳市城达电子有限公司
| 产品型号 | GS66502B-E01-MR |
| 描述 | MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-sidecooled |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 系列 | GS66502 |
| 产品 | MOSFET |
| 长度 | 6.6 mm |
| 高度 | 0.51 mm |
| 封装 | Reel |
| 封装 | MouseReel |
| 通道模式 | Enhancement |
| 封装 | Cut Tape |
| 配置 | Single |
| Zui大工作温度 | + 150 C |
| Zui小工作温度 | - 55 C |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 7 V |
| Qg-栅极电荷 | 1.5 nC |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
| Rds On-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 封装 / 箱体 | GaNPX-3 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 技术 | GaN |
| RoHS | 符合RoHS |
| 宽度 | 5 mm |
| 商标 | GaN Systems |
| 产品类型 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 250 |
| 子类别 | MOSFETs |
