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因它是在圣诞节前夕发明的，对人们未来的生活发生如此巨大的影响，被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。[2]新研究发现，在晶体管电子流出端的衬底外，沉积一层对应材料，能形成一个半导体致冷P-N结构，因为N材料的电子能级低，P材料的电子能级高，当电子流过时，需要从衬底吸入热量，这就为晶体管核心散热提供一个很好的途径。
待焊点熔化时，