焊接on电源治理芯片高引线温度为300°C，外壳1/8"，持续5秒
on电源治理芯片的工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C
功耗：134W（TC=100°C时）功耗：268W（TC=25°C时）
脉冲集电极电流：200A
集电极电流：80A（TC=25°C时）集电极电流：50A（TC=100°C时）
瞬态栅极-发射极电压：±30V
栅极-发射极电压：±20V
集电极-发射极电压：650V
on的工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°集电极电流：80A（TC=25°C时）集电极电流：40A（TC=100°C时）瞬态栅极-发射极电压：±30V栅极-发射极电压：±20V集电极-发射极电压：650V
安森美半导体AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQIGBT是第四代高速场终止型IGBT，非常适适用于汽车应用。on电源治理芯片和安森美半导体为硬开关和软开关拓扑提供on电源治理芯片佳机能。on电源管理芯片是符合AECQ101尺度，具有超低开关和导通损耗。
