A2SHB,N沟道增强型MOSFET
一般说明
A2SHB采用先进的沟道技术,提供低的RDS(ON)、低栅电荷和 栅电压低至2.5V。该装置适用于电池保护或其他开关应用。。
特点
VDS=20V ID=3.2A
RDS(开)<32mΩ@VGS=4.5V
提供3针SOT23-3封装
A2SHB,N沟道增强型MOSFET
一般说明
A2SHB采用先进的沟道技术,提供低的RDS(ON)、低栅电荷和 栅电压低至2.5V。该装置适用于电池保护或其他开关应用。。
特点
VDS=20V ID=3.2A
RDS(开)<32mΩ@VGS=4.5V
提供3针SOT23-3封装