FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 54 毫欧 @ 26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 91nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 2900pF @ 25V
功率耗散(大值) 3.8W(Ta),300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3