集成电路失效分析步骤：
1.开封前检查，外观检查，X光检查，扫描声学显微镜检查。
2.开封显微镜检查。
3.电性能分析，缺陷定位技术、电路分析及微探针分析。
4.物理分析，剥层、聚焦离子束(FIB)，扫描电子显微镜(SEM)，透射电子显微镜(SEM)、VC定位技术。
一、无损失效分析技术
1.外观检查，主要凭借肉眼检查是否有明显缺陷，如塑脂封装是否开裂，芯片引脚是否接触良好。X射线检查是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射，样品缺陷部份会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常。X射线主要检查集成电路引线是否损坏问题。根据电子元器件的大小和结构选择合适的波长，这样能得到合适的分辨率。
2.扫描声学显微镜，是利用超声波探测样品内部缺陷，依据超声波的反射找出样品内部缺陷所在位置，这种方法主要用主集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者脱层。
二、有损失效分析技术
1.打开封装，一般有三种方法。全剥离法，集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，无法再进行电动态分析。方法二局总去除法，三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过种不损坏内部电路和引线，开封后可以进行电动态分析。方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。
2.缺陷定位，定位具体失效位置在集成电路失效分析中，是一个重要而困难的项目，缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。
a.Emission显微镜技术，具有非破坏性和的特性。它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上产生缺陷的部位，通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射。
b.OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描，可得到不同材料电阻率变化，这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。
C.液晶热点检测一般由偏振显微镜，可调节温度的样品台，以及控制电路构成。在由晶体各向异性变为晶体各向同性时，所需要的临界温度能量很小，以此来提高灵敏度。相变温度应控制在30-90度，偏振显微镜要在正交偏振光的使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。
3.电性能分析(探针台)
根据饰电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，利用微探针显微技术，来定位缺陷器件。微探针检测技术，微探针的作用是测量内部器件上的电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线。微探针技术一般伴随电路分析配合使用，两者可以较快地搜寻失效器件。