物理分析
1.聚焦离子束(FIB),由离子源,离子束聚焦和样品台组成。利用电镜将离子聚焦成微波尺寸的切割器。聚焦离子束的细微切割,结合扫描电镜的高分辨率成像,可以很好地解决剖面问题,定位精度可以达到0.1um以下,剖面过程过集成电路爱到的应力很小,完整地保存集成电路。
2.扫描电子显微镜(SEM),利用聚焦离子束轰击器件面表,面产生许多电子信号,将这些电子信号放大作为调制信号,连接显示器,可得到器件表面图像。
透射电子显微镜(TEM),分辨率可以达到0.1nm,透射电子显微镜可以清晰地分析器件缺陷,更好地满足集成电器失效分析对检测工具的解析要求。
3.VC定位技术基于SEM或FIB的一次电子束或离子束,在样品表面进行扫描。硅片表面不现部位有不同电势,表现出来不同的明亮对比,找出导常亮的点从而定位失效点。
有损失效分析技术
1.打开封装,一般有三种方法。全剥离法,集成电路完全损坏,只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏,无法再进行电动态分析。方法二局总去除法,三研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过种不损坏内部电路和引线,开封后可以进行电动态分析。方法三是自自动法用硫酸喷射达到局部去除的效果。
2.缺陷定位,定位具体失效位置在集成电路失效分析中,是一个重要而困难的项目,缺陷定位后才能发现失效机理及缺陷特征。
a.Emission显微镜技术,具有非破坏性和的特性。它使用光电子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上产生缺陷的部位,通常会发生不断增长的电子--空穴再结全而产生强烈的光子辐射。
b.OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描,可得到不同材料电阻率变化,这一方法可以测试金属布线内部的那些可靠性隐患。
C.液晶热点检测一般由偏振显微镜,可调节温度的样品台,以及控制电路构成。在由晶体各向异性变为晶体各向同性时,所需要的临界温度能量很小,以此来提高灵敏度。相变温度应控制在30-90度,偏振显微镜要在正交偏振光的使用,这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。