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同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203

AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，

比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个

电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特

性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便捷式产品...830V高雪崩能力待机功耗准谐振原

边反馈交直流转换器-PN8366

830V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366

PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外

围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和

TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐

振与多模式技术提高了效率并清除音频噪...内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转

换芯片—PN8016

内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016

PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率

非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，

实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保

护，欠压保护，过温保护。PN801...500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007

500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007

AP2007是一款紧凑型，效率高同步升压转换器，内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关

断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值)，空载或轻载时，AP2007为节能的PFM工作模式

。当负载大于150mA时，采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快

速瞬态响应。待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P

待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P

PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、

外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式，可省略光耦

和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准

谐振与多模式技术清除音频噪声，使...待机功耗交直流转换芯片--PN8147T

待机功耗交直流转换芯片--PN8147T

PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流

转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）

、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode

的三种脉冲功率模式混合技术和特...集成了脉宽调制控制器待机功耗的交直流转换芯片--

PN8145T

集成了脉宽调制控制器待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T

PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流

的三种脉冲功率模式混合技术和器...690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换

器-PN6370M

690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M

PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于

高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可

省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。用于高

性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306

用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306

PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基

二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯

片温度。用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H

用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H

PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流

的三种脉冲功率模式混合技术和特...650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--

PN8046

650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046

PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非

隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提

供了智能化保护功能，包括过载保护， 欠压保护，过温保护。PN8046的降频调制技术

有助于EMI特性。用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232

用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232

PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和

LED照明。PN8232工作在原边调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了的自恢复保护功

能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路

保护等。极低的芯片启动电流能够满足的待机功耗标准...具有软启动功能待机功耗交直流转

换芯片--PN8135

具有软启动功能待机功耗交直流转换芯片--PN8135

PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转

换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、

过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的

三种脉冲功率模式混合技术和特殊...内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--

PN8306M

内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M

PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特

基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降

低芯片温度。集成高压启动的同步整流控制器--PN8300

集成高压启动的同步整流控制器--PN8300

PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激

系统中替代次级整流肖特 基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，

只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外 部

的功率MOSFET开启；当芯...六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、

外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦

和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。内部集成了脉

宽调制控制器交直流转换芯片--PN8147

内部集成了脉宽调制控制器交直流转换芯片--PN8147

PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转

换开关电源.脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145

脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145

PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转

换开关电源。非隔离待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368

非隔离待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368

PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、

和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。高雪崩能力宽

输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M

高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M

PN8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率

非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯

片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。PN8034M的降频调制

技术有助于EMI特性。