开关电源IC回收公司，库存IC回收公司
同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203
AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，
比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个
电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特
性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便捷式产品...830V高雪崩能力待机功耗准谐振原
边反馈交直流转换器-PN8366
830V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366
PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外
围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和
TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐
振与多模式技术提高了效率并清除音频噪...内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转
换芯片—PN8016
内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率
非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，
实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保
护，欠压保护，过温保护。另外PN801...500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
AP2007是一款紧凑型，效率高同步升压转换器，内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关
断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值)，空载或轻载时，AP2007为节能的PFM工作模式
。当负载大于150mA时，采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快
速瞬态响应。待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P
待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P
PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、
外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式，可省略光耦
和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准
谐振与多模式技术清除音频噪声，使...待机功耗交直流转换芯片--PN8147T
待机功耗交直流转换芯片--PN8147T
PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流
转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）
、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode
的三种脉冲功率模式混合技术和特...集成了脉宽调制控制器待机功耗的交直流转换芯片--
PN8145T
集成了脉宽调制控制器待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T
PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流
的三种脉冲功率模式混合技术和器...690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换
器-PN6370M
690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于
高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可
省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。用于高
性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基
二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯
片温度。用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流
的三种脉冲功率模式混合技术和特...650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--
PN8046
650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非
隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提
供了智能化保护功能，包括过载保护， 欠压保护，过温保护。另外PN8046的降频调制技术
有助于EMI特性。用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和
LED照明。PN8232工作在原边调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了的自恢复保护功
能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路
保护等。极低的芯片启动电流能够满足的待机功耗标准...具有软启动功能待机功耗交直流转
换芯片--PN8135
具有软启动功能待机功耗交直流转换芯片--PN8135
PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转
换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、
过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的
三种脉冲功率模式混合技术和特殊...内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--
PN8306M
内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特
基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降
低芯片温度。集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激
系统中替代次级整流肖特 基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，
只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外 部
的功率MOSFET开启；当芯...六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、
外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦
和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。内部集成了脉
宽调制控制器交直流转换芯片--PN8147
内部集成了脉宽调制控制器交直流转换芯片--PN8147
PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转
换开关电源.脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转
换开关电源。非隔离待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368
非隔离待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368
PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、
和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。高雪崩能力宽
输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M
高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M
PN8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率
非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯
片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034M的降频调制
技术有助于EMI特性。