奥罗斯特科技相关人士表示，通过新设备，预计能够提高下一代HBM的良率，并声称奥罗斯特科技是提供PADOverlay相关设备的公司。此次供应是响应三星电子作为HBM竞争力强化的客户需求，基于现有前工序Overlay技术，开发了针对PAD工艺的特化算法，以快速响应客户需求。随着客户需求的增加，预计未来将供应更多的设备。明年DRAM市场中HBM的销售额比重将从去年的8%增长到今年的21%，明年将超过30%。三星电子等主要HBM企业正在扩大投资。奥罗斯特科技为了扩大销售，正在努力开发后工序Overlay设备。该公司去年已经供应了晶圆翘曲测量设备和12英寸晶圆级封装测量设备。随着奥罗斯特科技在后工序设备领域的技术积累和市场扩张，预计将在半导体设备市场中占据更重要的位置。
回收陀螺仪，六轴陀螺仪，角度传感器，距离传感器，博世传感器，温度传感器，光线传感器，三轴陀螺仪，九轴陀螺仪等。
回收贴片电容，直插电容，安规电容，陶瓷电容，电解电容，钽电容，磁珠，电感，电阻，晶振，直插晶振，贴片晶振，32.768MHZ，低压电容，大电解电容，热敏电阻，光敏电阻等。
回收4G模块，3G模块，GPRS模块，通信模块，发射模块，功率模块，蓝牙模块，wi-fi模块，无线模块，电源模块，光纤模块，IG模块等。
回收高频管，IG管，晶体管，MOS管，场效应管，三极管，二极管，贴片三极管，直插三极管，进口三极管，国产三极管，激光管，发射管，红外管，数码管等。
OC门OC门和OD门它们的定义如下：OC：集电极开路（OpenCollector）OD：漏极输出（OpenDrain）这是相对于两个不同的元器件而命名的，OC门是相对于三极管而言，OD门是相对于MOS管。我们先来分析下OC门电路的工作原理：当INPUT输入高电平，Ube0.7V，三极管U3导通，U4的b点电位为0，U4截止，OUTPUT高电平当INPUT输入低电平，Ube0.7V，三极管U3截止，U4的b点电位为高，U4导通，OUTPUT低电平OC门电路其中R25为上拉电阻：何为上拉电阻？将不确定的信号上拉至高电平。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
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H58G56AK6QX032
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H58G56MK6BX024
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H58G66MK6BX026
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H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042