SK海力士已经确认与台积电在下一代高带宽存储器(HBM)的量产上合作。SK海力士决定将HBM4基础芯片的半导体前端工艺(FEOL)、硅通孔(TSV)形成、BEOL等交由台积电负责,而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片(KGSD)测试等后续工艺则在自家的后端工艺工厂进行。这意味着传统的前道工艺将由台积电承担,之后的工艺则由SK海力士负责。
![回收DDR345代D9TGJMT40A512M8RH-075E:B](http://static.11467.com/img/lazy.gif)
NW953 MT29F4T08EUHBFM4-R:B512G
NW980 MT29F4T08E:B512G
NW947 MT29F4T08GMHAFJ4:A512G
NX862 MT29F4T08EUHBFM4-TES:B512G
NX890 MT29F4T08EULCEM4-TES:C512G
NW957 MT29F4T08EUHBFM4-T:B512G
NW984 MT29F4T08EULCEM4-QJ:C512G
NW969 MT29F4T08E:C512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A512G
NX970 MT29F4T08EULEEM4-TES:E512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A512G
NW786 MT29F512G08CMCBBH7-6ITC:B64G
NW966 MT29F512G08EBHBFJ4-T:B64G
NX886 MT29F512G08EBHBFJ4-TES:B64G
NW928 MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A64G
NW747 MT29F512G08CMCCBH7-10C:C64G
NW662 MT29F512G08CKCCBH7-10:C64G
NX837 MT29F512G08EBHAFJ4-3RES:A64G
NX967 MT29F512G08EBLEEJ4-TES:E64G
NX671 MT29F512G08EMCBBJ5-6ES:B64G
NW593 MT29F512G08CKCABH7-10:A64G
NW524 MT29F512G08CKCABH7-6Q:A64G
NW860 MT29E6T08ETHBBM5-3:B768G
NW894 MT29E6T08ETHBBM5-3D:B768G
NW852 MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B96G
NW856 MT29E768G08EEHBBJ4-3:B96G
NX748 MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B96G