在半导体产业高速发展的背景下,高带宽内存(High Bandwidth Memory,HBM)领域三星和SK海力士之间的技术竞争日益激烈。近一个月来,对HBM的兴趣急剧上升。特别是HBM3E和HBM4产品的进展引起了业界的关注,这些公司的步伐也在加快。认为,HBM已经逐渐形成了如NAND或DRAM等独立的产品类别,并预计销售额将继续增长。据Zui近的数据显示,预计明年HBM将占据DRAM销售额的30%。这表明HBM不仅仅是技术趋势,它已经成为了半导体市场的重要组成部分。
二季度为传统需求淡季,下游及终端以按需补货为主,存储现货市场整体需求乏力。由于消费端存储需求短期难有实质性改善,加上今年618电商平台热度不及往年,部分存储品牌仅做适当促销,预计今年618消费类存储出货规模将有所下降。即便原厂仍在积极稳价,但考虑到消费类需求不佳,渠道和部分品牌出现库存积压,现货市场竞价出货加剧,本周渠道和行业部分SSD价格小幅下调。
现货嵌入式市场方面,部分终端品牌出于成本和供应考虑,积极引入更多存储供应商,以抵御存储行情的周期性波动。部分现货嵌入式产品采用小容量的库存资源进行堆叠,导致市场上部分容量价格有所参差,本周64GBeMMC和UFS价格小幅调整。近期虽然贸易端有部分wafer库存释出,但已通过手机终端验证的NAND资源价格仍然较高。另外,由于部分嵌入式资源与服务器供应冲突,部分原厂稀缺资源的价格呈缓慢上涨趋势,加上品牌终端释出一定需求,从而支持现货嵌入式行情整体相对稳定发展。
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信号输入引脚:作用是将输入信号引入集成电路。具有一个信号输入引脚的集成电路一般在引脚旁标注“IN”字符。如果具有同相和反相两个输入引脚,则在引脚旁分别标注有“+”“-”字符,如下图:集成电路输入引脚的外电路特征是,通过一个耦合元件与前级电路的输出端相连接。这个耦合元件可以是耦合电容C,或者是耦合电阻R,或者是RC耦合电路,或者是耦合变压器T等。有些集成电路具有多输入信号引脚。如下图:振荡器、函数发生器等信号源类集成电路一般没有信号输入引脚。
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