在半导体市场的激烈竞争中，Dreamtech公司宣布了其进军半导体模块业务的重大战略。该公司在16日的声明中表示，他们已准备好为包括三星电子在内的存储公司提供先进的DRAM模块和固态硬盘（SSD）等产品。Dreamtech的这一决定是基于对人工智能（AI）半导体需求激增的洞察。公司计划利用其在智能手机部件模块生产上的20年经验，以及与三星电子的长期合作关系，来扩展其在半导体模块领域的业务。在过去的20年里，Dreamtech已为三星电子提供了约2亿至3亿个智能手机、平板电脑、GalaxyWatch等可穿戴设备所需的零部件模块。
新产品和技术方面，铠侠推出了一代的UFS4.0嵌入式闪存产品，并开始生产采用CBA技术的第八代BiCS FLASH™，以提升性能和成本效益。
展望未来，铠侠认为供需平衡持续改善，市场价格将不断上涨。在PC和智能手机需求方面，随着原厂控制生产外加客户库存逐渐正常化，PC和智能手机市场需求正在复苏，而人工智能功能模型的激增、单位存储容量的增长以及软件的更新也将推动着换机需求增加。
服务器和企业级SSD需求方面，铠侠预计在人工智能应用高密度和大容量SSD的推动下，数据中心和企业级SSD需求将在2024年下半年呈现复苏趋势。随着人工智能应用和单位存储容量需求不断增长，业界对闪存市场的增长潜力和长期潜在需求驱动因素仍然充满信心。
铠侠将根据市场状况继续优化生产和运营费用。
请勿将正转限位/反转限位用于极限以外的用途。正转限位/反转限位置为ON时的动作根据极限减速模式(BFM#3b11/BFM#37b11)的设定而不同。极限减速模式为OFF时的动作(下)运行过程中位于运行方向的正转限位/反转限位置为ON后，立即停止正转脉冲/反转脉冲，输出CLR信号。(CLR信号的输出脉宽为20ms。)2.极限减速模式为ON时的动作(下)运行过程中位于运行方向的正转限位/反转限位置为ON后，减速停止。
H9HCNNNBKMMLXR-NEE
H9HCNNNBKUMLHR-NEN
H9HCNNNBKUMLHR-NEO
H9HCNNNBKUMLHR-NME
H9HCNNNBKUMLHR-NMN
H9HCNNNBKUMLHR-NMO
H9HCNNNBKUMLXR-NEE
H9HCNNNBPUMLHR-NLE
H9HCNNNBPUMLHR-NLN
H9HCNNNBPUMLHR-NME
H9HCNNNBPUMLHR-NMN
H9HCNNNBPUMLHR-NMO
H9HCNNNBUUMLHR-NLM
H9HCNNNCPMALHR-NEE
H9HCNNNCPMALHR-NME
H9HCNNNCPMALHR-NMM
H9HCNNNCPMALHR-NMN
H9HCNNNCPMMLHR-NEE
H9HCNNNCPMMLHR-NME
H9HCNNNCPMMLHR-NMO