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什么意思呢？比如10KV/0.4KV的三档位的变压器：一档：10500V二档：10000V三档：9500V显然一档，三挡。高往高调："高"指低压侧电压如果过高，"往高调"指分接开关往高档位调。低往低调："低"指低压侧电压如果太低，"往低调"指分接开关往低档位调为什么要这样调呢？现在在二档，输出电压过高，就将开关调到一档，因为高档位就是指一次绕组匝数多，调到高档位，就是将一次绕组匝数增加了，二次绕组匝数不变，也就是变比增大了，一次电源电压不变，变比增大，二次输出电压就会降低。

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亚德诺，赛普拉斯，赛灵思，美台，凌力尔特，莱迪斯，电源，PMC，豪威，MPS，艾迪悌，HITTITE,威世，安华高，微芯，镁光，闪迪，美信，晨星等。

 

博通，安捷伦，爱特梅尔，德州仪器，威讯，PERICOM,SEMTECH,顺利卡，安森美，阿尔特拉，ALPHA,安霸，LNOWLES,新思，英特矽尔，应美盛，普瑞科技，思旺等。

 

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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。HBM生产过程中需要TSV封装，HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。


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