在半导体产业高速发展的背景下，高带宽内存（High Bandwidth Memory,HBM）领域三星和SK海力士之间的技术竞争日益激烈。近一个月来，对HBM的兴趣急剧上升。特别是HBM3E和HBM4产品的进展引起了业界的关注，这些公司的步伐也在加快。认为，HBM已经逐渐形成了如NAND或DRAM等独立的产品类别，并预计销售额将继续增长。据Zui近的数据显示，预计明年HBM将占据DRAM销售额的30%。这表明HBM不仅仅是技术趋势，它已经成为了半导体市场的重要组成部分。
二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。设VD为二极管正向压降（硅管为0.7V左右），当VF远大于VD时，VD可略去不计，则在t1时，V1突然从+VF变为-VR。在理想情况下，二极管将立刻转为截止，电路中应只有很小的反向电流。但实际情况是，二极管并不立刻截止，而是先由正向的IF变到一个很大的反向电流IR=VR／RL，这个电流维持一段时间tS后才开始逐渐下降，再经过tt后，下降到一个很小的数值0.1IR，这时二极管才进人反向截止状态，如下图所示。
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