参展申请:2025深圳半导体展会 2025深圳国际半导体展火热招商中 深圳半导体展|半导体芯片展会|半导体材料设备展览会2025中国(深圳)国际半导体展览会 2025中国深圳半导体展会|半导体材料与设备制造展 深圳·2025半导体博览会深圳半导体显示博览会2025 深圳半导体展|2025深圳国际半导体技术暨应用展芯片半导体展|2025深圳半导体展览会2025深圳半导体展览会
2025中国（深圳）国际半导体展览会
China (Shenzhen) int'l Circuit board & Electronic assembly Show2025
展会时间：2025年4月9日-11日
论坛时间：2025年4月9日-11日
展会地点：深圳国际博览中心
展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名观众
为了应对这一挑战，行业逐渐演变，光源从可见光转向紫外光，后转向深紫外光（DUV）。到90年代和2000年代，DUV光已经成为标准，使用激光实现193纳米的波长。随着芯片尺寸缩小到几纳米（1纳米为十亿分之一米，大约是人类头发宽度的十万分之一），即便是DUV光也显得难以应对，犹如用铲雪工具签名一样笨拙。
若要跟上摩尔定律（英特尔创始人之一戈登·摩尔在1965年提出的观察：芯片上晶体管的数量大约每两年翻一番），行业显然需要下一代解决方案。得益于行业快速的创新步伐，这一观察自那时起一直得到验证。
认识到DUV的局限性，半导体行业在90年代开始探索极紫外光（EUV）。这一理论概念早在十年前就已提出，但被认为几乎无法商业化。原因何在？
“常用”的EUV光产生方式是激光产生等离子体。在这一过程中，每秒向一滴约为50,000次的熔融锡喷射激光，从而产生发出EUV光的等离子体。在这个过程中产生的等离子体温度可以达到数十万摄氏度，远高于太阳表面的5500度。
为了能够使用EUV蚀刻硅晶圆以生产芯片，光必须通过一系列精密镜子进行引导，这些镜子聚焦并调整光束，照射在包含所需电路图案的光掩模上。EUV光将这些图案投射到涂有光敏材料的硅晶圆上，从而实现复杂半导体特征的制造。根据马克·希金（MarcHijink ）在其富有洞察力的传记《FOCUS: The ASMLWay》中的描述，没有任何人能够完全理解这些机器的每个操作细节。