南山回收发光管、电源模块、咪头

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旋有关的散射Zui小，材料有Zui小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射Zui强，材料的电阻Zui大。Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向情况下的电阻值，明显大于磁化方向相的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。

早在1988年，费尔和格林贝格尔就各自独立发现了这一特殊现象：非常弱小的磁性变化就能导致磁性材料发生非常显著的电阻变化。那时，法国的费尔在铁、铬相间的多层膜电阻中发现，微弱的磁场变化可以导致电阻大小的急剧变化，其变化的幅度比通常高十几倍，他把这种效应命名为巨磁阻效应（GiantMagneto-Resistive，GMR）。有趣的是，就在此前3个月，德国优利希研究中心格林贝格尔教授领导的研究小组在具有层间反平行磁化的铁/铬/铁三层膜结构中也发现了完全同样的现象。

AP18108A

MC14017BCP

FR9801E

EM78P156ELP

LQW15AN5N6C10D

SN74HC164N

RF8095

9DB233AGILFT

SN74HC173N

MC74HC163N/MM74HC163N

CD74HC147E

TPS61085TPWR

WR06X201JTL

RC0805JR-0739RL

SN74LS14N

RC0603JR-0775R，YAGEO

HD74LS10P

UC3842BN

MT6771V/C

CL10C201JB8NNNC

SG73S1JTTD60R4D

SN74LS191N

SN74LS221N

RC0402FR-07143RL

MLA00127PWPR

TPIC6B595，MSP430F2012IPWR/2272IDAR，TMS470MF06607/04207/03107

TCR2EF33

RTT03330JTP

TLP250

PTH08T250WAS，TI/BB，ECU22

RC1005F824CS

MNR14E0APF2703

SN74HC86N

2N3904-TA

RM06FTN26R7

TIL113

IRFP460

M74HCT245M1R，

SSU2N60

INA331AIDGKR

MT8LC16M16A2P-7E，IT:D

74HC02D，HARRIS

EP1K10TC100-1

20037WR-H08

0402CG2R4B500NT

CD4017BE

IRF530

SY100ELT22LZC-TR

WIFI模块_AP6181

KA7806

KA7808

CMMB104T-470MS-53

EVNDCAA03B53

TAS5709

RK73H2BTTD1600F

MC7815CT

GRM0335C1E1R0CA01D，

KA7818

L7820CV

LF353

3362P-1-500

MTB110P10E3

U7309 U8300W/C  U9300。BGS2-E8 EHS5-E8 ME3630

RM04FTN3090

SN74HC573AN

FM4007

STB30NF10T4

SN74LS42N

MC2716 ME3760 ME3720，MC8332MC8630 MC9160 

RTT032552FTP

EPF10K30ETC144-1N

MC1413BDR2G

B560

NT6CL128T64C4-H1

GRM31CR60J107ME39L

TL3474AIPWR      

MAX197BCN1

UB90CEU2000CS2-8TB-CS

3362P-1-103