南山回收发光管、电源模块、咪头
旋有关的散射Zui小，材料有Zui小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射Zui强，材料的电阻Zui大。Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。
早在1988年，费尔和格林贝格尔就各自独立发现了这一特殊现象：非常弱小的磁性变化就能导致磁性材料发生非常显著的电阻变化。那时，法国的费尔在铁、铬相间的多层膜电阻中发现，微弱的磁场变化可以导致电阻大小的急剧变化，其变化的幅度比通常高十几倍，他把这种效应命名为巨磁阻效应（GiantMagneto-Resistive，GMR）。有趣的是，就在此前3个月，德国优利希研究中心格林贝格尔教授领导的研究小组在具有层间反平行磁化的铁/铬/铁三层膜结构中也发现了完全同样的现象。
AP18108A
MC14017BCP
FR9801E
EM78P156ELP
LQW15AN5N6C10D
SN74HC164N
RF8095
9DB233AGILFT
SN74HC173N
MC74HC163N/MM74HC163N
CD74HC147E
TPS61085TPWR
WR06X201JTL
RC0805JR-0739RL
SN74LS14N
RC0603JR-0775R，YAGEO
HD74LS10P
UC3842BN
MT6771V/C
CL10C201JB8NNNC
SG73S1JTTD60R4D
SN74LS191N
SN74LS221N
RC0402FR-07143RL
MLA00127PWPR
TPIC6B595，MSP430F2012IPWR/2272IDAR，TMS470MF06607/04207/03107
TCR2EF33
RTT03330JTP
TLP250
PTH08T250WAS，TI/BB，ECU22
RC1005F824CS
MNR14E0APF2703
SN74HC86N
2N3904-TA
RM06FTN26R7
TIL113
IRFP460
M74HCT245M1R，
SSU2N60
INA331AIDGKR
MT8LC16M16A2P-7E，IT:D
74HC02D，HARRIS
EP1K10TC100-1
20037WR-H08
0402CG2R4B500NT
CD4017BE
IRF530
SY100ELT22LZC-TR
WIFI模块_AP6181
KA7806
KA7808
CMMB104T-470MS-53
EVNDCAA03B53
TAS5709
RK73H2BTTD1600F
MC7815CT
GRM0335C1E1R0CA01D，
KA7818
L7820CV
LF353
3362P-1-500
MTB110P10E3
U7309 U8300W/C U9300。BGS2-E8 EHS5-E8 ME3630
RM04FTN3090
SN74HC573AN
FM4007
STB30NF10T4
SN74LS42N
MC2716 ME3760 ME3720，MC8332MC8630 MC9160
RTT032552FTP
EPF10K30ETC144-1N
MC1413BDR2G
B560
NT6CL128T64C4-H1
GRM31CR60J107ME39L
TL3474AIPWR
MAX197BCN1
UB90CEU2000CS2-8TB-CS
3362P-1-103