盐田回收极管、大小功率管、场效应管
加磁场中,利用外加磁场的变化来改变两铁磁层的相对磁化强度取向平行或反平行。当两铁磁层的磁化取向相同,即平行时,可以观察到通过器件的电流较大,也就是说电阻较小而当两铁磁层的磁化取向,由于其本身的磁化强度的不同在外加磁场的作用下改变为反平行时,通过器件的电流会变小,即电阻变大,这也是我们测试自旋电流长程输运方法的理论基础。在性能良好的器件中,有时电阻的变化会达到十的六次方,这也是其被称为巨磁阻的原因。[1]
应用编辑
巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头(ReadHead)。这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少,从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高。第一个商业化生产的数据读取探头是由IBM公司于1997年投放市场的,到目前为止,巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。
在GrünbergZui初的工作中他和他领导的小组只是研究了由铁、铬(Chromium)、铁三层材料组成的样品,实验结果显示电阻下降了1.5%。而Fert及其同事则研究了由铁和铬组成的多层材料样品,使得电阻下降了50%。
阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔所发现的巨磁阻效应造就了计算机硬盘存储密度提高50倍的奇迹。单以读出磁头为例,1994年,IBM公司研制成功了巨磁阻效应的读出磁头,将磁盘记录密度提高了17倍。1995年,宣布制成每平方英寸3Gb硬盘面密度所用的读出头,创下了世界记录。硬盘的容量从4GB提升到了600GB或更高。
CC1206KKX5R8BB226
TAS5152DKD,TI/BB,HSSOP36
STH270N4F3-6
04T-JWPF-VSLE-S
CLVC1G3208IDCKRQ1
GRM155R61A225KE95D
CR-03FL7-4K42
Winbond
BD9276EFV
RM04FTN5603
LF398H
TLP521
CC0603JRNPO9BN221
MAX3232CPE
VRNR128ET004LCEB
TJA1040T
DS80C320MCG
M29W400DB70N6E-NMT29F128G08CFAA***
TDA1514A
RM06FTN3402
PGC09123
CLH1005T-3N3S-S-NP
GRM21BC8YA106ME11
RC0603FR-07430KL
IMP813L-EPA
3296X-1-202LF
MC34063A
TC4584BP
S20020PRIA1
1SMA5917BT3G
RC0603FR-0775RL
8Q26000008
LQM18PN2R2M
TLV2460IDBVR,TI/BB,SOT23
TLE6389-2GV50
HRS2H-S-DC5V
TPS3820-33QDBVRQ1
IC DDR3 H5TQ1G63EFR-PBC
C0603X5R1A562KT00NN
02016D104KAT2A
INA1379A