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参见：半导体器件制造和集成电路设计

从1930年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（WilliamShockley）认为是固态真空管的Zui可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在1940到1950年代被系统的研究。今天，元素中期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和Zui高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。

半导体集成电路工艺，包括以下步骤，并重复使用：

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光刻

刻蚀

薄膜(化学气相沉积或物理气相沉积）

掺杂（热扩散或离子注入）

化学机械平坦化CMP

使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。

IC由很多重叠的层组成，每层由视频技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。