芯片失效分析
失效分析属于芯片反向工程开发范畴。芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分
析实验室,配备了国外先进的等离子蚀刻机(RIE) 、光学显微镜电子显微镜(SEM)和聚焦离子束机(FIB)等设备,满足各项失效分析服务的要求。
公司拥有一完善的失效分析流程及多种分析手段, 纺位保证工程质量及项目文件的准确无误。
失效分析流程:
1、外观检查,识别crack, burnt mark等问题，拍照。
2、非破坏性分析:主要用xray查看内部结构, csam- 查看是否存在delamination
3、进行电测。
4、进行破坏性分析:即机械机械decap或化学decap等
常用分析手段:
1、X-Ray无损侦测，可用于检测
* IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性
* PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接
*开路、短路或不正常连接的缺陷
*封装中的锡球完整性
2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜
可对IC封装内部结构进行非破坏性检测，有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:
阮面脱层.
锡球晶元或填胶中的裂缝
封装材料内部的气孔
各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞
3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪
可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析,测量元器件尺寸
4、三种常用漏电流路径分析手段: EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC液晶热点侦测
EMMI微光显微镜用于侦测ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hotelectrons , oxide current leakage等所造成的异常。
OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位.如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等;也能
有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。
LC可侦测因ESD,EOS应力破坏导致芯片失效的具体位置。
5、Probe Station探针台/Probing Test探针测试，可用来直接观测1C内部信号
6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试
7、FIB做电路修改
FIB聚焦离子可直接对金属线做切断、连接或跳线处理相对于流片验证，先用FIBI具来验证线路设计的修改，在时效和成本上具有非常明显的优势.
公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜AFM ,二次离子质谱SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ，透射电镜TEM,场发射电镜场发射扫描俄歇探针, X光电子能谱XPS ,L--V测
试系统，能量损失X光微区分析系统等多种复杂分析手段。
服务项目:
封装去除
利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
UP
芯片开盖
采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法，专业提供去除聚酰亚氨(Polyimide)、 去除氧化层 (SiO2) 、去除钝化层(Si3N4、SiO2)、 去除金属层 (AI、 CU、 W)等芯片去层次
技术支持与服务,承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。
芯片染色
阱区染色:模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情况，需要对芯片进行阱区染色，把P阱和N阱用不同的颜色加以区分。
......
ROM码点染色: ROM存储模式中有大部分是利用离子注入的方式来区分0和1.当读取ROM中的0和1代码时，就需要对芯片进行染色以区分0和1。
芯片拍照.
为保证良好的拍照效果，我们采用先进光学显微镜和电子显微镜，能够拍摄90nm工艺以上的各种芯片的图像。我们免费为客户进行图像的三维拼接,能够大带同层图像完整
无缝、异层图像对的效果。
0.35uI艺图像
0.18u工艺图像
异层照片对准，印刷后的大图严格保留着芯片层间对准关系，提图时可以很方便地进行通孔定位。
放大倍率，1um在放大1000倍时， 在照片.上就是严格的1mm,从而保证快捷地测量器件的尺寸。
定位线和微米尺,每幅大图边框上绘制了以微米为单位的坐标系和半透明定位线，以防便用户测量和定位。
