物(化)性失效分析PFA
Decap开封
Bare Die Extraction取晶粒
De-layer/De-process去层解剖
Staining-Rom Code码点染色
Staining-P/N阱染色
Staining-Resistor zone电阻染色
De-Gold Bump去金凸块
金相分析
精密定点及非定点研磨制样/金相切片
显微观察分析(Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800冷场发射电镜+ EDS)
电性失效分析EFA
EMMI微光显微检查
LC Hot Spot液晶热点侦测
OBIRCH镭射光束诱发阻值变化测试
Probe Station探针应用
FIB聚焦离子束应用
微线路修改
测试键生成
Cross-Section
VC
精密切割及加工
无损侦测
X-Ray+ 3DCT (三维断层扫描技术)
C-SAM扫描超声波
芯片逆向工程及工艺评估
成功的正向设计需要随时更新E3有设计思路,纠正设计缺陷。反向设计作为一种辅助工具,可以帮助电路设计工程师在短时间里积累足够多的设计经验并开发适合自身设计水平的工艺
参数，有效规避风险、提高效率。也可帮助设计公司提升产品竞争力,或为保护自主产品知识产权提供有效证据。
静电放电/闩锁效应测试
ESD-HBM人体模式
ESD-MM机器放电模式
ESD-CDM充电元器件模式
Latch-Up闩锁效应测试
材料分析
AES俄歇电子能谱仪应用
AFM原子力显微镜应用
EELS电子能量损失分析仪应用
FT-IR傅立叶红外显微镜应用
SEM/EDS扫描电子显微镜/X射线能谱仪应用
SIMS二次离子能谱仪(特殊定点/非定点制样、元素分析)
TEM透射电镜(定点/非定点制样及上机观察)
TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱应用
XPS X射线光电子能谱仪应用
可靠性测试
静态环境可靠性测...
动态环境可靠性试验..
机械应力可靠性试验..
高加速寿命试验...
