深圳国际半导体展2025_门票_时间_地点_深圳半导体展
更新：2025-02-02 07:00 编号：36148818 发布IP：221.14.125.114 浏览：3次
详细介绍
能够控制 CNT 的直径和 TMD的厚度，为器件微缩的创新进步提供了机会。存在挑战，但Zui近的进展继续激发研究兴趣。
对于 CNT，通过特定的掺杂技术已经证明了 NMOS 性能与 PMOS 相当，从而增强了它们的高电流密度能力。对于TMD，Zui显着的优势是它们的高状态密度和将栅极长度缩小到 10 纳米以下的能力。
已经报道了非常短尺寸的器件，但完整的器件微缩需要降低 EOT和栅极介电厚度、更好的界面缺陷控制以及具有低电阻接触解决方案的 CMOS集成。替代通道材料具有有趣的特性并且随着时间的推移表现出性能改进，但在它们能够超越硅以供工业考虑之前，仍需要取得重大进展。
互连创新是技术进步的另一个关键领域。图 11 突出显示了业界一直在研究的几项新进展。随着技术规模的扩大，中线 (MOL)电阻对系统性能至关重要。通过使用新的低电阻材料和先进的界面工程，MOL 电阻已降低 40%。
2025中国（深圳）国际半导体展览会
China (Shenzhen) int'l Circuitboard & Electronic assembly Show 2025
展会时间：2025年4月9日-11日
论坛时间：2025年4月9日-11日
展会地点：深圳国际博览中心
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