高密度扇出型封装技术满足了移动手机封装的外形尺寸与性能要求，因此获得了技术界的广泛关注。构成此技术的关键元素包括重布线层（RDL）金属与大型铜柱镀层。重布线层连通了硅芯片上的高密度连接和印制电路板的低密度连接。通常需要使用多层重布线层，才能够让信号路由至电路板。大型铜柱是垂直连接不同层级的金属支柱。顶部单个晶片的焊锡凸块被放置于大型铜柱之上，并通过回流焊完成连接。大型铜柱的区别在于其尺寸大小：它的高度和宽度是标准铜柱的5倍之多。构建大型铜柱的传统方法是采用常规电镀，这个过程漫长且缓慢。而的问题在于，此过程通常会产生不可接受的不一致结果。电镀铜柱的高度会随局部电流负载密度的不同而变化，并可能在支柱顶部产生一定程度的隆起或凹陷，而不是所需的平坦表面。这种高度与特征形状的不一致，可能会需要额外的后续平面化步骤，并会导致连接不稳定，降低设备性能，增加总体工艺时间和成本。
