电性故障分析，斯柯得直击问题根源 | 从现象到机理的完整解决方案

当您的产品出现短路、开路、漏电、信号异常或功耗超标等电性故障时，传统的“替换法”只能临时解决问题，却无法预防复发。电性故障是“果”，其背后隐藏的物理性损伤才是“因”。斯柯得检测提供专业的电性故障分析服务，通过精密的电性定位与先进的物理分析技术相结合，为您层层递进，直击问题根源，实现从“治标”到“治本”的跨越。

斯柯得电性故障分析技术体系：精准定位，深度剖析

我们采用“先定位，后剖析”的科学分析流程，确保每一步都有的放矢。

1. 精密电性定位：锁定“嫌疑区域”
在不动用“手术刀”之前，我们先通过一系列非破坏性技术，jingque缩小故障范围：

• IV曲线分析： 精准表征元器件端口特性，比对良品与不良品，快速锁定短路、开路、漏电、参数异常的故障引脚或电路模块。

• 热点定位： 使用红外热像仪（IR）或液晶热点定位（TLC），捕捉因短路或过载产生的微小发热点。

• 发光定位： 利用光子发射显微镜（EMMI） 和欧伯失效定位（OBIRCH） 等jianduan技术，检测芯片内部因载流子活动产生的微弱光子或热激光感应电流变化，jingque定位到微米级的漏电、栅氧击穿、 latch-up等缺陷位置。

• X-Ray & C-SAM检查： 进行内部结构无损探伤，排除引线断裂、封装开裂、分层、空洞等宏观物理缺陷。

2. 靶向物理剖析：揭开“真凶”面纱
在电性定位的jingque指导下，我们进行定点物理分析，让缺陷无处遁形：

• 芯片开封： 采用等离子开封等无损/微损技术，精准暴露目标区域，完美保护故障点。

• 显微形貌分析： 通过高倍光学显微镜（OM）和扫描电镜（SEM），直接观察定位点的金属熔断、介质击穿、裂纹、腐蚀、孔洞等失效形貌。

• 成分元素分析： 利用能谱仪（EDS） 对缺陷点进行微区成分分析，鉴定污染物、迁移物、异常化合物，追溯污染源。

• 聚焦离子束（FIB）截面分析： 对芯片进行纳米级的jingque定位切割，制作截面样品，观察层间缺陷、界面状况、晶格损伤等微观结构，揭示深层失效机理。

典型电性故障与对应根源分析

选择斯柯得的五大理由

1. 技术全面： 覆盖从板级（PCBA）到芯片级（Die）的全链路分析能力。

2. 定位精准： 避免“盲人摸象”，通过电性定位实现物理分析的“jingque打击”。

3. 分析深入： 不止于找到缺陷点，更致力于解释其产生机理（如EOS，ESD，工艺缺陷，材料老化）。

4. 设备先进： 拥有EMMI， FIB， SEM等一系列高端分析设备。

5. 经验丰富： zishen工程师团队，具备多行业、多类型产品的失效分析经验，能提供切实可行的改进建议。

电性故障如同疾病的“症状”，而斯柯得检测就是dingji的“电子医生”。我们通过先进的“诊断设备”定位病灶，再通过精密的“外科手术”揭示病因，Zui终为您提供根治的“处方”。

如果您正被反复出现的电性故障所困扰，请立即联系斯柯得，让我们用专业的技术，直击根源，终结您的烦恼！