芯片热冲击测试，验证急剧温度变化耐受性

热冲击测试通过极快速的高低温度转换，在芯片内部产生剧烈热应力，验证其在极端温度变化下的结构完整性与功能稳定性。斯柯得检测配备两槽式热冲击箱、在线监测系统及专用防凝露治具，提供标准化、严酷等级可调、数据完整的热冲击测试服务。

技术优势

1. 极端温变能力

• 温度范围：-65℃ ~ +150℃（可扩展至-70℃ ~ +200℃）

• 转换时间：≤15秒（液槽至液槽）

• 驻留时间：2 ~ 30分钟可调

• 温度稳定性：±0.5℃

2. 全面监测方案

• 实时监控：温度、电压、电流、功能状态同步记录

• 失效捕获：自动识别参数漂移与功能异常

• 数据完整性：全周期数据存储，支持事后分析

3. 专业测试治具

• 防凝露设计：避免温度转换期间水汽凝结

• 热耦合优化：确保样品与介质充分接触

• 信号保真：高频信号在极端环境下稳定传输

测试标准与条件

测试能力

✅ 多品类芯片适用

• BGA、QFN、CSP等先进封装芯片

• 功率模块、光电器件、MEMS传感器

✅ 多样化测试模式

• 常规热冲击：验证封装结构与材料界面完整性

• 带偏置热冲击：工作状态下验证抗热震性能

• 极端等级：-70℃⇄200℃，验证极限耐受能力

✅ 全方位失效监测

• 实时电性监测：导通电阻、漏电流、功能状态

• 定期全参数测试：每50次循环进行完整功能验证

• 失效定位分析：结合SAT、X-Ray、切片分析失效机理

服务流程

1. 预处理（1天）

• 样品初始电性测试与外观检查

• 安装至专用测试治具，连接监测线路

2. 测试执行（按循环次数）

• 设置温度曲线与监测参数

• 自动运行，实时记录数据

• 定期进行功能与参数测试

3. 失效分析（5-7天）

• 失效样品进行SAT、X-Ray、开封、切片分析

• 确定失效机理与根本原因

4. 报告交付（3天）

• 提供完整的测试数据与失效分析报告

• 给出改进建议与优化方案

典型案例

 案例1：陶瓷封装芯片开裂

• 测试条件：-65℃⇄150℃，500次循环，10分钟驻留

• 测试结果：180次循环后功能异常

• 失效分析：X-Ray与切片显示封装体角部裂纹

• 改进建议：优化封装结构设计与材料选择，通过1000次循环测试

 案例2：功率器件焊料疲劳

• 测试条件：-55℃⇄125℃，1000次循环，带工作偏置

• 测试结果：750次循环后热阻增大

• 失效分析：SAT显示芯片粘贴层分层，切片确认焊料裂纹

• 改进建议：优化焊料成分与焊接工艺，疲劳寿命提升2倍

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