芯片静电放电ESD测试，评估抗静电能力

服务简介

静电放电测试模拟人体、机器等不同放电模型对芯片的静电冲击，评估其抗静电能力及损坏阈值。斯柯得检测配备ESD测试系统、TLP测试平台及IV曲线分析仪，提供标准化、精准可控、分析深入的ESD测试与失效分析服务。

技术优势

1. 全模型覆盖

• HBM：100 V ~ 8000 V，精度±5%

• CDM：100 V ~ 2000 V，精度±5%

• MM：10 V ~ 800 V，精度±5%

• TLP：1 ns ~ 100 ns脉冲宽度，电流Zui高40 A

2. 精准测试系统

• 全自动测试：支持多引脚顺序测试

• 实时监测：IV曲线实时比对，精准定位失效点

• 数据完整：全测试过程波形记录，支持深度分析

3. 专业分析平台

• 失效定位：EMMI/OBIRCH热点定位

• 机理分析：SEM/TEM观察微观损伤

• 参数验证：Pre/post IV曲线jingque比对

测试标准与条件

测试能力

✅ 全引脚组合测试

• 引脚对组合：Pin-to-Pin，Pin-to-VSS，Pin-to-VDD

• 顺序测试：支持Zapping顺序优化测试

• 多应力测试：逐步递增电压，精准定位失效阈值

✅ 多维度评估指标

• 失效阈值：HBM/CDM/MM等级判定

• 失效模式：

• 软失效（参数漂移、功能异常）

• 硬失效（短路、开路、熔毁）

• 损伤机理：栅氧击穿、结损伤、金属熔断

✅ 组合分析方案

• Pre/post IV分析：0.1 fA分辨率，精准检测漏电

• TLP特性分析：提取二次击穿电流It2，评估 robustness

• 失效定位：EMMI/OBIRCH定位漏电或击穿点

服务流程

1. 测试方案设计（1天）

• 根据产品应用场景选择测试模型与等级

• 确定测试引脚组合与应力顺序

2. 预处理测试（1天）

• 全引脚IV曲线测试，建立基准参数

• 功能测试验证初始状态

3. ESD测试执行（1-2天）

• 按标准执行HBM/CDM/MM测试

• 实时监测IV曲线变化，记录失效点

4. 失效分析（3-5天）

• 失效样品进行EMMI/OBIRCH定位

• SEM/TEM观察损伤形貌

• 切片分析验证损伤位置

5. 报告交付（2天）

• 提供完整的测试数据与失效分析报告

• 给出ESD防护设计改进建议

• 
  

交付成果

1. 测试数据

• 全引脚Pre/post IV曲线比对

• 失效阈值统计与等级判定

• TLP特性曲线（如适用）

2. 分析报告

• 失效定位图像与机理分析

• ESD防护能力评估

• 设计/工艺改进建议

3. 认证支持

• 符合JEDEC/AEC-Q100标准测试报告

• 完整的ESD性能数据包

核心竞争力

• 经验丰富：累计完成500+芯片ESD测试项目

• 分析深入：从电性测试到微观损伤的全流程分析

• 服务高效：标准周期7个工作日，加急3个工作日