SK海力士已经确认与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）的量产上合作。SK海力士决定将HBM4基础芯片的半导体前端工艺（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等交由台积电负责，而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片（KGSD）测试等后续工艺则在自家的后端工艺工厂进行。这意味着传统的前道工艺将由台积电承担，之后的工艺则由SK海力士负责。
回收陀螺仪，六轴陀螺仪，角度传感器，距离传感器，博世传感器，温度传感器，光线传感器，三轴陀螺仪，九轴陀螺仪等。
回收贴片电容，直插电容，安规电容，陶瓷电容，电解电容，钽电容，磁珠，电感，电阻，晶振，直插晶振，贴片晶振，32.768MHZ，低压电容，大电解电容，热敏电阻，光敏电阻等。
回收4G模块，3G模块，GPRS模块，通信模块，发射模块，功率模块，蓝牙模块，wi-fi模块，无线模块，电源模块，光纤模块，IG模块等。
回收高频管，IG管，晶体管，MOS管，场效应管，三极管，二极管，贴片三极管，直插三极管，进口三极管，国产三极管，激光管，发射管，红外管，数码管等。
CCW/CW：驱动禁止信号，一般和行程开关配合使用，避免超程，该信号可由参数PA20设置。PA20=0：使用驱动禁止功能；PA20=1：不使用驱动进制功能。RDY：驱动单元准备好信号，当电机通电励磁时该信号有输出。位置指令输入信号这里位置输入信号可以采用差分驱动或者单端驱动接法，由于选用的FBS-24MCT为集电极开路输出形式，所以采用单端驱动接法。伺服驱动单端驱动方式限定外部电源电压为25V时，需要串接一个限流电阻R依据：Vcc=24V，R=1.3KΩ~2KΩ；Vcc=12V，R=510KΩ~820KΩ；Vcc=5V，R=0；频率限制为：PLS/DIR：脉冲频率500KHZU/D：脉冲频率500KHZA/B：脉冲频率300KHZ控制线制作GSK随机附带一个44针插座，依据引脚图，把需要的控制信号接线出来。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
H58G56AK6QX032
H58G56AK6VX032
H58G56MK6BX024
H58G56MK6PX024
H58G56MK6QX024
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H58G66MK6BX026
H58G66MK6PX026
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H58G66MK6VX026
H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042