三星电子和英特尔等半导体公司正在研究定向自组装 (DSA) 技术，以补偿极紫外 (EUV)工艺过程中出现的图案错误。DSA是下一代图案化技术之一，这一技术有望补充 EUV过程中出现的随机误差。随机是指随机且非重复的图案错误，已知占 EUV 图案错误的 50%。业界预测，DSA技术将从使用High-NAEUV的1.4nm工艺和10nm以下的DRAM工艺开始正式引入。英特尔代工旗下逻辑技术开发部门光刻、硬件和解决方案主管MarkPhilip日前表示，“使用 DSA（高数值孔径 EUV）的研究正在进行中，通过应用DSA，我们正在改进模式粗糙度（LER）。”英特尔在近期发表的论文中表示，其将 DSA 技术应用于 18nm 以下工艺，并成功纠正了EUV 图案中发生的随机误差。
回收陀螺仪，六轴陀螺仪，角度传感器，距离传感器，博世传感器，温度传感器，光线传感器，三轴陀螺仪，九轴陀螺仪等。
回收贴片电容，直插电容，安规电容，陶瓷电容，电解电容，钽电容，磁珠，电感，电阻，晶振，直插晶振，贴片晶振，32.768MHZ，低压电容，大电解电容，热敏电阻，光敏电阻等。
回收4G模块，3G模块，GPRS模块，通信模块，发射模块，功率模块，蓝牙模块，wi-fi模块，无线模块，电源模块，光纤模块，IG模块等。
回收高频管，IG管，晶体管，MOS管，场效应管，三极管，二极管，贴片三极管，直插三极管，进口三极管，国产三极管，激光管，发射管，红外管，数码管等。
b电路用的是2N3906三极管，PNP型，同样把蜂鸣器LS2接在三极管的集电极，驱动信号是5VTTL电平。由于2N3906其他参数和2N3904基本一致，因此计算过程不再赘述。以上这两个电路图都可以正常工作。的两个电路和图一相比，把蜂鸣器接在了三极管的发射极。在c电路，假设基极电压为5V，基极电流Ib=(5V-0.7V-UL)/4.7K，其中UL为蜂鸣器上的压降。如果UL比较大，那么相应的Ib就小，很有可能Ib0.2mA，Ic20mA，无法驱动蜂鸣器。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
H58G56AK6QX032
H58G56AK6VX032
H58G56MK6BX024
H58G56MK6PX024
H58G56MK6QX024
H58G56MK6VX024
H58G66MK6BX026
H58G66MK6PX026
H58G66MK6QX026
H58G66MK6VX026
H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042