芯片失效分析实验室，专业定位芯片故障根源

斯柯得芯片失效分析实验室拥有完整的分析设备链和专业的技术团队，通过规范化的分析流程和深度的机理解释，为客户提供从现象到根源的全链条失效分析服务。实验室年均完成超千例分析案例，覆盖消费电子、汽车电子、工业控制、航空航天等领域。

技术能力

1. 电学特性分析

• 参数测试：0.1 fA级漏电检测，0.1 μΩ导通电阻测量

• 特性分析：IV曲线、CV曲线、S参数测试

• 动态测试：时序、功耗、信号完整性测试

2. 无损检测

• X-Ray：2D/3D内部结构观察，分辨率0.5 μm

• SAT超声扫描：封装内部分层、空洞缺陷检测

• 红外热成像：微米级热点定位，温度分辨率0.1℃

3. 样品制备

• 开封去盖：化学开封、激光开封，支持各类封装

• 剖面制备：精密抛光、FIB切片，精度10 nm

• 去层处理：等离子刻蚀、化学腐蚀，层间精度5 nm

4. 物性分析

• 形貌观察：SEM分辨率1 nm，TEM分辨率0.1 nm

• 成分分析：EDS元素分析，XPS化学态分析

• 晶体结构：EBSD晶向分析，XRD物相分析

分析流程

典型分析案例

案例1：BGA焊点疲劳失效

• 现象：通信设备在温度循环测试中出现连接异常

• 分析过程：

1. X-Ray检测发现角落焊点存在裂纹

2. 切片分析确认裂纹位于焊球与焊盘界面

3. SEM观察显示IMC层过厚且存在孔洞

• 回流焊温度过高导致IMC过度生长，在热应力下发生界面疲劳

• 改进建议：优化回流焊温度曲线，IMC厚度控制在2-4 μm

案例2：功率MOSFET栅氧击穿

• 现象：电动汽车控制器在高温工作时发生短路

• 分析过程：

1. IV测试显示栅极漏电增大

2. EMMI定位到栅极区域存在热点

3. TEM分析发现栅氧层存在击穿点

• 栅氧缺陷在高温高压下发生TDDB击穿

• 改进建议：优化栅氧生长工艺，加强在线工艺监控

案例3：存储器数据保持失效

• 现象：物联网设备在高温环境下数据丢失

• 分析过程：

1. 功能测试确认存储单元漏电

2. 去层分析定位到特定存储阵列

3. AFM分析发现浮栅电荷泄漏

• 隧穿氧化层质量不足导致电荷保持能力下降

• 改进建议：改进氧化层工艺，优化存储器架构

设备清单

服务优势

• 快速响应：紧急项目24小时内启动

• 深度分析：不止于现象描述，重在机理解释

• 完整链条：从电学特性到物理机理的全流程分析

• 工程导向：分析直接指导设计改进和质量提升

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